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SMBTA42
Infineon 英飞凌 分立器件

Infineon### 双极晶体管,Infineon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • NPN Silicon Transistor for High Voltages • High breakdown voltage • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: SMBTA92 PNP 描述与应用| 特点 •NPN硅高电压 •高击穿电压 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补类型:SMBTA92(PNP)

SMBTA42中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SMBTA42引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBTA42 Infineon 英飞凌 Infineon ### 双极晶体管,Infineon 搜索库存
替代型号SMBTA42
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBTA42

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23/SC-59 NPN

当前型号

Infineon### 双极晶体管,Infineon

当前型号

型号: SMBTA42E6327

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

SOT-23 NPN 300V 0.5A

SMBTA42和SMBTA42E6327的区别

型号: MMBTA42

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN

类似代替

NXP  MMBTA42  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE

SMBTA42和MMBTA42的区别

型号: MMBTA42LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300V 500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA42LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE

SMBTA42和MMBTA42LT1G的区别