SIC779ACD-T1-GE3
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Vishay Siliconix
电子元器件分类
SIC779ACD-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电流 40 A
耗散功率 25 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 16 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MLP-40
外形尺寸
封装 MLP-40
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 同步降压转换器
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIC779ACD-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIC779ACD-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIC779ACD-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Gate Drivers 40A VRPwr Int Pw Stg DrMOS MLP66-40 | 搜索库存 |
替代型号SIC779ACD-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIC779ACD-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | Gate Drivers 40A VRPwr Int Pw Stg DrMOS MLP66-40 | 当前型号 |
| 型号： SIC769ACD-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40 | SIC779ACD-T1-GE3和SIC769ACD-T1-GE3的区别 |
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