SMBJ5.0CA-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 5 V
击穿电压 6.4 V
电路数 1
耗散功率 1 W
钳位电压 9.2 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 6.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ5.0CA-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ5.0CA-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ5.0CA-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 5.0V 800W Bidir TransZorb 5% Tol | 搜索库存 |
替代型号SMBJ5.0CA-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ5.0CA-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 5.0V 800W Bidir TransZorb 5% Tol | 当前型号 |
| 型号： SMBJ5.0CAHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 5.0V 800W Bidir TransZorb 5% Tol | SMBJ5.0CA-E3/5B和SMBJ5.0CAHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ5.0CA 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | ESD抑制器/TVS二晶體 5.0V 800W Bidir Tran sZorb 5% Tol | SMBJ5.0CA-E3/5B和SMBJ5.0CA的区别 |
| 型号： SMBJ5.0CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 5V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ5.0CA-E3/5B和SMBJ5.0CAHE3/52的区别 |