SGB15N60
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
SGB15N60中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 139 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SGB15N60引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SGB15N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SGB15N60 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 | 当前型号 | 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology | 当前型号 |
| 型号： IGB15N60T 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 | 类似代替 | INFINEON IGB15N60T 单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚 | SGB15N60和IGB15N60T的区别 |
| 型号： IGB20N60H3 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin TO-263 T/R | SGB15N60和IGB20N60H3的区别 |
| 型号： IGW60T120 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 | 功能相似 | INFINEON IGW60T120 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | SGB15N60和IGW60T120的区别 |