SGB02N60
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SGB02N60中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SGB02N60引脚图与封装图
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在线购买SGB02N60
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SGB02N60 | Infineon 英飞凌 | 在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation | 搜索库存 |
替代型号SGB02N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SGB02N60 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 | 当前型号 | 在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation | 当前型号 |