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SKB02N60
Infineon 英飞凌 分立器件
SKB02N60中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 30 W

封装参数

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SKB02N60引脚图与封装图
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在线购买SKB02N60
型号 制造商 描述 购买
SKB02N60 Infineon 英飞凌 在NPT技术的快速IGBT具有柔软,快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 搜索库存