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SMA5125
Sanken Electric 三垦电气 分立器件

SIP N+P 60V 10A

MOSFET - 阵列 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道(3 相桥式) 60V 10A 4W 通孔 12-SIP


得捷:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 10A 12-Pin SIP


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 10A 12-Pin SIP


Win Source:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP


SMA5125中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

耗散功率 4 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10A

输入电容Ciss 460pF @10VVds

额定功率Max 4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 4000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 12

封装 SIP-12

外形尺寸

封装 SIP-12

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMA5125引脚图与封装图
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