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SGB10N60A
Infineon 英飞凌 分立器件

IGBT 分立,Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

分离式 IGBT

Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术,如 NPT、Trenchstop™ 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用,包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。


欧时:
Infineon SGB10N60A N沟道 IGBT, Vce=600 V, 21 A, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**IGBT 600V 20A 2.4V TO263-3 **


SGB10N60A中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 92 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.25 mm

宽度 9.9 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGB10N60A引脚图与封装图
SGB10N60A引脚图

SGB10N60A引脚图

SGB10N60A封装焊盘图

SGB10N60A封装焊盘图

在线购买SGB10N60A
型号 制造商 描述 购买
SGB10N60A Infineon 英飞凌 IGBT 分立,Infineon **Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存