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SPW52N50C3FKSA1

SPW52N50C3FKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW52N50C3FKSA1, 52 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 560V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
SPW52N50C3 系列 560 V 0.07 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 560V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, CoolMOS, N Channel, 52 A, 560 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V


SPW52N50C3FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 52.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 417 W

阈值电压 3 V

输入电容 6.80 nF

栅电荷 290 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 52.0 A

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 417 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

制造应用 通信与网络, 电源管理, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SPW52N50C3FKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPW52N50C3FKSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号SPW52N50C3FKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPW52N50C3FKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 560V 52A 6.8nF

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号： SIHG47N60S-E3

品牌： 威世

封装： TO-247AC N-Channel

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