SPB80N06S2-08
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB80N06S2-08中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 215W Tc
输入电容 3.80 nF
栅电荷 96.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
额定功率Max 215 W
耗散功率Max 215W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SPB80N06S2-08引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPB80N06S2-08 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPB80N06S2-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPB80N06S2-08 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 55V 80A 3.8nF | 当前型号 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB80N06S2-08 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 55V 80A | 功能相似 | Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SPB80N06S2-08和IPB80N06S2-08的区别 |