SPI16N50C3
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPI16N50C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 16.0 A
极性 N-CH
耗散功率 160 W
输入电容 1.60 nF
栅电荷 66.0 nC
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 34 W
下降时间 8 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPI16N50C3引脚图与封装图
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在线购买SPI16N50C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPI16N50C3 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPI16N50C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPI16N50C3 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 560V 16A 1.6nF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： STFI20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-CH 500V 17A | 功能相似 | I2PAKFP N-CH 500V 17A | SPI16N50C3和STFI20NK50Z的区别 |