SPI08N50C3
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPI08N50C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 7.60 A
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
输入电容 750 pF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 560 V
漏源击穿电压 560 V
连续漏极电流Ids 7.60 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
额定功率Max 32 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPI08N50C3引脚图与封装图
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