![SPW11N60CFD](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_355/chanpintu/spw11n60cfd-jNOlgoxv-ejPBe4l8q.png)
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
输入电容 1.20 nF
栅电荷 64.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SPW11N60CFD | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS? Power Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SPW11N60CFD 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 650V 11A 1.2nF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS? Power Transistor | 当前型号 | |
型号: SPP11N60CFD 品牌: 英飞凌 封装: TO-220-3 N-Channel 650V 11A 1.2nF | 类似代替 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | SPW11N60CFD和SPP11N60CFD的区别 | |
型号: STB11NM60T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 600V 11A 450mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | SPW11N60CFD和STB11NM60T4的区别 | |
型号: STD11NM60ND 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 600V 10A | 功能相似 | N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | SPW11N60CFD和STD11NM60ND的区别 |