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SPA11N65C3XKSA1

SPA11N65C3XKSA1

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INFINEON  SPA11N65C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP


立创商城:
N沟道 650V 11A


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 33W; PG-TO220-3-FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  SPA11N65C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220


SPA11N65C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 33 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.20 nF

栅电荷 60.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

额定功率Max 33 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPA11N65C3XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPA11N65C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPA11N65C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPA11N65C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA11N65C3XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 11A

当前型号

INFINEON  SPA11N65C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IPA65R380C6XKSA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-220FP N-CH 700V 10.6A

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SPA11N65C3XKSA1和IPA65R380C6XKSA1的区别

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封装： TO-220FP N-Channel

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