锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SPD07N60S5

SPD07N60S5

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

N-Channel 600V 7.3A Tc 83W Tc Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK


SPD07N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

极性 N-Channel

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 970pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

SPD07N60S5引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPD07N60S5
型号 制造商 描述 购买
SPD07N60S5 Infineon 英飞凌 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor 搜索库存
替代型号SPD07N60S5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPD07N60S5

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 600V 7.3A

当前型号

酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

当前型号

型号: SPD07N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 650V 7.3A

类似代替

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SPD07N60S5和SPD07N60C3的区别

型号: IPP60R600C6

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 600V 7.3A

功能相似

INFINEON  IPP60R600C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

SPD07N60S5和IPP60R600C6的区别

型号: IPB60R600C6

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 N-Channel 600V 7.3A

功能相似

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SPD07N60S5和IPB60R600C6的区别