额定电压DC 650 V
额定电流 7.30 A
极性 N-Channel
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 970pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPD07N60S5 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPD07N60S5 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 600V 7.3A | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 | |
型号: SPD07N60C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-Channel 650V 7.3A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SPD07N60S5和SPD07N60C3的区别 | |
型号: IPP60R600C6 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 600V 7.3A | 功能相似 | INFINEON IPP60R600C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V | SPD07N60S5和IPP60R600C6的区别 | |
型号: IPB60R600C6 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 N-Channel 600V 7.3A | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SPD07N60S5和IPB60R600C6的区别 |