额定电压DC 600 V
额定电流 1.80 A
极性 N-CH
耗散功率 25 W
输入电容 240 pF
栅电荷 9.50 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPP02N60S5 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPP02N60S5 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-CH 600V 1.8A 240pF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 | |
型号: STP55NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | SPP02N60S5和STP55NF06的区别 | |
型号: SPP11N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | SPP02N60S5和SPP11N80C3的区别 | |
型号: STP120NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | SPP02N60S5和STP120NF10的区别 |