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SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准


得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK


立创商城:
P沟道 60V 18.7A


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  SPB18P06PGATMA1  MOSFET Transistor, P Channel, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V


SPB18P06PGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -18.6 A

额定功率 81.1 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.101 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 81.1 W

阈值电压 3 V

输入电容 860 pF

栅电荷 33.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 18.6 A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 690pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.25 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 便携式器材, 车用, Onboard charger, 电机驱动与控制, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPB18P06PGATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPB18P06PGATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 搜索库存
替代型号SPB18P06PGATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPB18P06PGATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263 P-Channel 60V 18.6A 860pF

当前型号

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

当前型号

型号： NTB5605PT4G

品牌： 安森美

封装： TO-263 P-Channel 60V 18.5A 120mohms 1.19nF

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTB5605PT4G  MOSFET Transistor, P Channel, -18.5 A, -60 V, 0.12 ohm, -5 V, -1.5 V 新

SPB18P06PGATMA1和NTB5605PT4G的区别

型号： IRF9Z34SPBF

品牌： 威世

封装： D2PAK P-Channel 60V 18A

功能相似

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SPB18P06PGATMA1和IRF9Z34SPBF的区别