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SPP03N60S5

SPP03N60S5

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
SPP03N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 3.20 A

通道数 1

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 420pF @25VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.25 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPP03N60S5引脚图与封装图
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在线购买SPP03N60S5
型号 制造商 描述 购买
SPP03N60S5 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号SPP03N60S5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP03N60S5

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 650V 3.2A

当前型号

Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: SPP11N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 800V 11A

类似代替

INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

SPP03N60S5和SPP11N80C3的区别

型号: SPA04N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 800V 4A

类似代替

INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

SPP03N60S5和SPA04N80C3的区别

型号: SPP08N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 800V 8A

类似代替

INFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

SPP03N60S5和SPP08N80C3的区别