通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 185 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 240 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 21.7 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 3160pF @25VVds
额定功率Max 240 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPP24N60CFD | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPP24N60CFD. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21.7 A, 650 V, 185 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPP24N60CFD 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 600V 21.7A | 当前型号 | INFINEON SPP24N60CFD. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21.7 A, 650 V, 185 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
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型号: IPP65R150CFDAAKSA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-220-3 N-CH 650V 22.4A | 类似代替 | N沟道 650V 22.4A | SPP24N60CFD和IPP65R150CFDAAKSA1的区别 | |
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