SPD03N60S5
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPD03N60S5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 3.20 A
极性 N-CH
耗散功率 38 W
输入电容 420 pF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 420pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SPD03N60S5引脚图与封装图
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在线购买SPD03N60S5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPD03N60S5 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPD03N60S5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD03N60S5 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-CH 600V 3.2A 420pF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPD03N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO252-3 N-Channel 600V 3.2A | 功能相似 | INFINEON SPD03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V | SPD03N60S5和SPD03N60C3的区别 |