SSM6K202FE,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 6Pin ES

表面贴装型 N 通道 30 V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） ES6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.3A 6-Pin ES T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.3A 6-Pin ES T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

SSM6K202FE,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 270pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 ES-6

外形尺寸

封装 ES-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6K202FE,LF引脚图与封装图

SSM6K202FE,LF引脚图

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