SSM6N7002KFU,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
主动器件
耗散功率 0.5 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 5.5 ns
正向电压Max 1.1 V
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 285 mW
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SSM6N7002KFU,LF封装图
SSM6N7002KFU,LF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SSM6N7002KFU,LF | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6Pin US T/R | 搜索库存 |