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SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF

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Toshiba(东芝) 分立器件

SSM3J325F,LF 编带

表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 600mW（Ta） S-Mini


立创商城:
P沟道 20V 2A


得捷:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI


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MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC


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Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R


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X34 PB-F S-MINI SMALL SIGNAL MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI


SSM3J325F,LF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 311 mΩ

耗散功率 600 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

输入电容Ciss 270pF @10VVds

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 600mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-346-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-346-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM3J325F,LF引脚图与封装图
SSM3J325F,LF引脚图

SSM3J325F,LF引脚图

SSM3J325F,LF封装图

SSM3J325F,LF封装图

SSM3J325F,LF封装焊盘图

SSM3J325F,LF封装焊盘图

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