STL19N60DM2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 800pF @100VVds
下降时间 32.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5
外形尺寸
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STL19N60DM2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STL19N60DM2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL19N60DM2 | ST Microelectronics 意法半导体 | N-CH 600V 11A | 搜索库存 |