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STD12N50DM2

STD12N50DM2

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 500V 11A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK


贸泽:
MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


STD12N50DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 350 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 628pF @100VVds

下降时间 9.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STD12N50DM2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD12N50DM2 ST Microelectronics 意法半导体 Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存