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N沟道100 V, 0.22 Ω , 6 A, DPAK , IPAK低栅极电荷的STripFET ?功率MOSFET N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET? Power MOSFET

N-Channel 100V 6A Tc 30W Tc Through Hole I-PAK


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STU6NF10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STU6NF10引脚图与封装图
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STU6NF10 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道100 V, 0.22 Ω , 6 A, DPAK , IPAK低栅极电荷的STripFET ?功率MOSFET N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET? Power MOSFET 搜索库存