STB23N80K5

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

N沟道 800V 16A

N-Channel 800V 16A Tc 190W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK

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N沟道 800V 16A

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MOSFET N-channel 800 V, 0.23 O typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D PAK package

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Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin D2PAK T/R

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STB23N80K5 系列 800 V 0.28 Ω 16 A N-沟道 MDmesh™ K5 功率 MOSFET - TO-263-3

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Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STB23N80K5中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1000pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB23N80K5引脚图与封装图

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