STD12NM50N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1 kW
输入电容 880 pF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 6.70 A, 11.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 940pF @50VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
STD12NM50N引脚图与封装图 
STD12NM50N引脚图
STD12NM50N封装图
STD12NM50N封装焊盘图
在线购买STD12NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD12NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP | 搜索库存 |
替代型号STD12NM50N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD12NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 75V 6.7A 380mΩ 880pF | 当前型号 | N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP | 当前型号 |
| 型号： STD12NM50ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-CH 500V 11A | 类似代替 | N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11 A， FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管） ， D2PAK ， DPAK N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Power MOSFET with fast diode, D2PAK, DPAK | STD12NM50N和STD12NM50ND的区别 |