STD36P4LLF6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 17.5 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 60 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 36A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 2850pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STD36P4LLF6引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STD36P4LLF6 | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -40 V, 0.0175 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |