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STW20NM60FD

STW20NM60FD

数据手册.pdf

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
STW20NM60FD


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW20NM60FD  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 600V 20A 0.26Ohm TO247 **


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247


STW20NM60FD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.30 nF

栅电荷 37.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW20NM60FD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STW20NM60FD ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STW20NM60FD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW20NM60FD

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 600V 20A 290mΩ 1.3nF

当前型号

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

当前型号

型号: STW20NK50Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

类似代替

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型号: STW12NK90Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ

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型号: STW13NK100Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 1kV 13A 700mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STW13NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V

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