STI76NF75中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI76NF75引脚图与封装图
暂无图片
替代型号STI76NF75
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI76NF75 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I2PAK N-CH 75V 80A | 当前型号 | I2PAK N-CH 75V 80A | 当前型号 |
| 型号： STI21N65M5 品牌： 意法半导体 封装： I2PAK N-Channel 650V 17A | 类似代替 | N沟道650 V， 0.150 I© ， 17的MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， I²PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, TO-220, I²PAK, TO-247 | STI76NF75和STI21N65M5的区别 |
| 型号： STI12N65M5 品牌： 意法半导体 封装： I2PAK N-Channel 650V 8.5A | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STI12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V | STI76NF75和STI12N65M5的区别 |
| 型号： STI8N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-262-3 N-Channel | 类似代替 | N沟道650 V， 0.56 Ω ， 7的的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power MOSFET | STI76NF75和STI8N65M5的区别 |