STF25NM50N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 550 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 14.0 A, 22.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF25NM50N引脚图与封装图
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在线购买STF25NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF25NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V， 0.11 Ω ， 22一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 500 V, 0.11 Ω, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STF25NM50N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF25NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 500V 14A 140mΩ | 当前型号 | N沟道500 V， 0.11 Ω ， 22一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 500 V, 0.11 Ω, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IPA50R140CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220FP N-Channel 500V 23A | 功能相似 | INFINEON IPA50R140CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V | STF25NM50N和IPA50R140CP的区别 |
| 型号： IPP50R140CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 500V 23A | 功能相似 | CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor | STF25NM50N和IPP50R140CP的区别 |