锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STB155N3LH6

STB155N3LH6

数据手册.pdf

N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

This power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

STB155N3LH6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 3800pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB155N3LH6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB155N3LH6
型号 制造商 描述 购买
STB155N3LH6 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET 搜索库存
替代型号STB155N3LH6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB155N3LH6

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263-3 N-Channel

当前型号

N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

当前型号

型号： STD155N3LH6

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel

完全替代

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STB155N3LH6和STD155N3LH6的区别

型号： IPD70N03S4L-04

品牌： 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 30V 30A

功能相似

MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

STB155N3LH6和IPD70N03S4L-04的区别