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STH260N6F6-2

STH260N6F6-2

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STH260N6F6-2  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


富昌:
STH260N6F6 系列 75 V 2 mOhm 表面贴装 N 沟道 功率 Mosfet - H2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK


STH260N6F6-2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 165 ns

输入电容Ciss 11800pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 62.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STH260N6F6-2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STH260N6F6-2 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STH260N6F6-2  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存