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STP100N10F7

STP100N10F7

数据手册.pdf

100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 100V 80A Tc 150W Tc Through Hole TO-220


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STP100N10F7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 4369 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 4369pF @50VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP100N10F7引脚图与封装图
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STP100N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP100N10F7

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel

当前型号

100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: IPP072N10N3GXKSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 80A

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