STI12N65M5中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 8.5A
输入电容Ciss 900pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STI12N65M5引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STI12N65M5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI12N65M5 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STI12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号STI12N65M5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI12N65M5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I2PAK N-Channel 650V 8.5A | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STI12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STU12N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-251 N-Channel | 完全替代 | STMICROELECTRONICS STU12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V | STI12N65M5和STU12N65M5的区别 |
| 型号： STI21N65M5 品牌： 意法半导体 封装： I2PAK N-Channel 650V 17A | 类似代替 | N沟道650 V， 0.150 I© ， 17的MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， I²PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, TO-220, I²PAK, TO-247 | STI12N65M5和STI21N65M5的区别 |