
极性 N-CH
耗散功率 2.7W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
耗散功率Max 2.7W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STS20N3LLH6 | ST Microelectronics 意法半导体 | SO N-CH 30V 20A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STS20N3LLH6 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: SO N-CH 30V 20A | 当前型号 | SO N-CH 30V 20A | 当前型号 | |
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