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STS20N3LLH6

STS20N3LLH6

数据手册.pdf

SO N-CH 30V 20A

表面贴装型 N 通道 20A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SO N T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SO N T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC


STS20N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 1690pF @25VVds

额定功率Max 2.7 W

耗散功率Max 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STS20N3LLH6引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STS20N3LLH6 ST Microelectronics 意法半导体 SO N-CH 30V 20A 搜索库存
替代型号STS20N3LLH6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STS20N3LLH6

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SO N-CH 30V 20A

当前型号

SO N-CH 30V 20A

当前型号

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封装: SO

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