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STD5N95K3

STMICROELECTRONICS  STD5N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V

The is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics" SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low ON-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

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100% Avalanche tested
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Extremely large avalanche performance
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Very low intrinsic capacitances
STD5N95K3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 950 V

漏源击穿电压 950 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 460pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD5N95K3引脚图与封装图
STD5N95K3引脚图

STD5N95K3引脚图

STD5N95K3封装图

STD5N95K3封装图

STD5N95K3封装焊盘图

STD5N95K3封装焊盘图

在线购买STD5N95K3
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STD5N95K3 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD5N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存