STQ2LN60K3-AP中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 0.6A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 235pF @50VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STQ2LN60K3-AP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STQ2LN60K3-AP | ST Microelectronics 意法半导体 | 600V,0.6A,N沟道MOSFET | 搜索库存 |