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STB26NM60ND

STB26NM60ND

数据手册.pdf

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK


欧时:
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II


艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STB26NM60ND power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 190000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes fdmesh ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB26NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 145 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 1817pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 27.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB26NM60ND引脚图与封装图
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