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STW45NM60

STW45NM60

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW45NM60, 45 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
STW45NM60


贸泽:
MOSFET N-Ch 650 Volt 45 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**N-CH 600V 45A 110mOhm TO247-3 **


力源芯城:
650V,0.09Ω,45A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
N-CHANNEL 600V - 0.09ohm - 45A TO-247 MDmes TM Power MOSFET


STW45NM60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 45.0 A

通道数 1

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 417 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3800pF @25VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW45NM60引脚图与封装图
STW45NM60引脚图

STW45NM60引脚图

STW45NM60封装图

STW45NM60封装图

STW45NM60封装焊盘图

STW45NM60封装焊盘图

在线购买STW45NM60
型号 制造商 描述 购买
STW45NM60 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STW45NM60
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW45NM60

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 650V 45A 110mΩ

当前型号

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STW30NM60N

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-CH 600V 25A

类似代替

N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

STW45NM60和STW30NM60N的区别

型号： FCA47N60

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-3P N-Channel 600V 47A 58mohms

功能相似

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STW45NM60和FCA47N60的区别

型号： FCA47N60_F109

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-3P-3 N-CH 600V 47A

功能相似

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

STW45NM60和FCA47N60_F109的区别