STS13N3LLH5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.7 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 14.5 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STS13N3LLH5引脚图与封装图
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在线购买STS13N3LLH5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS13N3LLH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | SO N-CH 30V 13A | 搜索库存 |
替代型号STS13N3LLH5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STS13N3LLH5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO N-CH 30V 13A | 当前型号 | SO N-CH 30V 13A | 当前型号 |
| 型号： AP4424GM-HF 品牌： 富鼎先进电子 封装： | 功能相似 | SO N-CH 30V 13.8A | STS13N3LLH5和AP4424GM-HF的区别 |
| 型号： AP4224GM-HF 品牌： 富鼎先进电子 封装： | 功能相似 | SO N-CH 30V 10A | STS13N3LLH5和AP4224GM-HF的区别 |