STD105N10F7AG

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

100V,8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 100V 80A Tc 120W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

贸泽:
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

儒卓力:
**N-CH 100V 80A 8mOhm TO252 **

力源芯城:
100V,8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

STD105N10F7AG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 120 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 4369pF @50VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD105N10F7AG引脚图与封装图

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