STL24N60M2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.21 Ω
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1060pF @100VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFlat-4
外形尺寸
封装 PowerFlat-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL24N60M2引脚图与封装图
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在线购买STL24N60M2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL24N60M2 | ST Microelectronics 意法半导体 | 600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STL24N60M2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STL24N60M2 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerFlat-8 N-CH 600V 18A | 当前型号 | 600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STL18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： Power | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STL24N60M2和STL18N55M5的区别 |