
STB37N60DM2AG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 210 W
输入电容 2400 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 2400pF @100VVds
下降时间 10.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STB37N60DM2AG引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STB37N60DM2AG | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道 600V 28A | 搜索库存 |