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STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG

数据手册.pdf

N沟道 600V 28A

表面贴装型 N 通道 28A(Tc) 210W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK


欧时:
ST STB37N60DM2AG


立创商城:
N沟道 600V 28A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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POWER MOSFET


富昌:
STB37N60Dxx Series 600 V 0.110 Ohm N-Channel MDmesh™ DM2 Power Mosfet - D2PAK-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB37N60DM2AG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 210 W

输入电容 2400 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 28A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 2400pF @100VVds

下降时间 10.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

STB37N60DM2AG引脚图与封装图
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STB37N60DM2AG ST Microelectronics 意法半导体 N沟道 600V 28A 搜索库存