锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STL7NM60N

低输入电容和栅极电荷,低栅极输入电阻 Low input capacitance and gate charge, Low gate input resistance

N-Channel 600V 5.8A Tc 68W Tc Surface Mount 14-PowerFLAT™ 5x5


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 14-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 14-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 14-Pin Power Flat T/R


力源芯城:
600V,0.805Ω,5.8A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT


STL7NM60N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.8A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 363pF @50VVds

额定功率Max 68 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 PowerFLAT-14

外形尺寸

封装 PowerFLAT-14

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STL7NM60N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STL7NM60N
型号 制造商 描述 购买
STL7NM60N ST Microelectronics 意法半导体 低输入电容和栅极电荷,低栅极输入电阻 Low input capacitance and gate charge, Low gate input resistance 搜索库存