STB70NFS03LT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 70.0 A
通道数 1
漏源极电阻 13.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 1440pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB70NFS03LT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB70NFS03LT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB70NFS03LT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号STB70NFS03LT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB70NFS03LT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263-3 N-Channel 30V 70A 13.5mΩ | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： STB70NFS03L 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | N沟道 - 30V - 0.0075ohm - 70A D2PAK的STripFET TM功率MOSFET加上肖特基整流器 N-channel - 30V - 0.0075ohm - 70A D2PAK STripFET TM Power MOSFET plus schottky rectifier | STB70NFS03LT4和STB70NFS03L的区别 |