STGD6NC60HDT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 15.0 A
针脚数 3
耗散功率 56 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 21 ns
额定功率Max 56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGD6NC60HDT4引脚图与封装图 
STGD6NC60HDT4引脚图
STGD6NC60HDT4封装图
STGD6NC60HDT4封装焊盘图
在线购买STGD6NC60HDT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGD6NC60HDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-3 | 搜索库存 |
替代型号STGD6NC60HDT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STGD6NC60HDT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252-3 600V 15A 56000mW | 当前型号 | STGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-3 | 当前型号 |
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| 型号： IRG4RC10SDTRPBF 品牌： 国际整流器 封装： DPAK 38W | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab DPAK T/R | STGD6NC60HDT4和IRG4RC10SDTRPBF的区别 |