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STD3PK50Z

STMICROELECTRONICS  STD3PK50Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V

是一款-500V P沟道齐纳保护功率MOSFET, 采用SuperMESH™技术开发, 优化了基于条带的PowerMESH™布局. 除了低导通电阻之外, MOSFET的设计还可以为要求苛刻的应用提供高水平的dv/dt性能.

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减少栅极电荷
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极高的dv/dt能力
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100%经过雪崩测试
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非常低的内在电容
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改进的静电能力
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高峰值功率
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非常坚固耐用
STD3PK50Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 85 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD3PK50Z引脚图与封装图
STD3PK50Z引脚图

STD3PK50Z引脚图

STD3PK50Z封装图

STD3PK50Z封装图

STD3PK50Z封装焊盘图

STD3PK50Z封装焊盘图

在线购买STD3PK50Z
型号 制造商 描述 购买
STD3PK50Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD3PK50Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
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型号: STD3PK50Z

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DPAK P-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD3PK50Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: FQD3P50TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 P-Channel 500V 2.1A 4.9ohms

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