STH250N6F3-6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.6 mΩ
耗散功率 300 W
漏源击穿电压 60 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
外形尺寸
封装 TO-263-7
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STH250N6F3-6引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| STH250N6F3-6 | ST Microelectronics 意法半导体 | Mosfet n-Ch 60V 250A H2pak | 搜索库存 |